瓷介电容，瓷介电容103的电容值是多少？
今天给各位分享瓷介电容的知识，其中也会对瓷介电容103的电容值是多少进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！
瓷介电容器放2年久是否需要烘烤?
二年以上肯定要进烤箱烤的，瓷片电容不建议长时间存放，一般存放超过6个月，就需要进烤箱烤。
瓷介电容的作用
瓷片电容一般容量比较小，所以用在高频滤波比较多，一般用在电源滤波和信号采集电路上滤波比较多。电容测量一般用电容表或者万用表的电容档，也有用电阻档测，用阻值大的档位测，测的时候万用表指针会动一下然后很快回到无穷大，因为电容小很快就充完电，所以用电阻档测不是太明显。
瓷介电容的内部问题及对可靠性的影响有哪些？
一、瓷介电容内部的结瘤问题
结瘤问题是瓷介电容制造过程中，金属化电极材料涂敷不均匀导致的金属化电极堆积变形所形成的。由于金属化电极的变形会导致瓷介介质变形，从而使电容器的介质变薄而使击穿电压下降。金属化电极的变形也可导致电容在加电时电场不均匀而击穿失效。
二、 瓷介电容器内部的介质空洞问题
介质空洞是瓷介电容器内部常见的问题，它是瓷介电容器在制造过程中瓷介质的空洞所造成的。它对此介电容器的使用可靠性的主要影响是：
1、空洞的存在会导致瓷介电容器局部击穿电压降低而导致击穿失效或两个电极之间的绝缘电阻降低。
2、在电压较高时会使空洞处的空气电离化而产生漏电通道而漏电失效。
三、瓷介电容器内部的分层问题
瓷介电容器内部的分层问题也是瓷介电容器内部常见的问题，它是瓷介电容器在制造过程中瓷介质与金属化电极之间接触不紧密所造成的。它对介电容器的使用可靠性的主要影响是：
1、可导致电容的击穿电压下降，也可导致两个极之间的绝缘下降。
2、分层问题可导致瓷介电容器的抗机械能力进一步下降。
四、 瓷介电容器的电极与电容主体接触不好
这种问题是瓷介电容在制造过程中电极与电容主体之间烧焊工艺不好所造成的。这种接触不好在应用过程中会造成电容器的开路和接触电阻增大失效。智旭JEC***制造安规电容，压敏电阻，独石电容，薄膜电容，涤纶电容，高压电容，更多品质电容尽在JEC。
什么叫瓷介电容
多层片式瓷介电容器详解MLCC
所谓片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
片式电容器除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、 *** 、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。
有没有谁能详细解释一下瓷介电容？
介电容器：
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
CC1型圆片高频瓷介电容
适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v
允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%
CT1型圆形瓷片低频电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）
CC01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）
温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
56—180P –750(+-250)PPM
180—390P –1300(+-250)PPM
430—820P –3300(+-500)PPM
CT01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm
允差：+80 -20%容量：1000-47000p
工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容
可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g
允差：k容量：1-47p工作电压：500v
CC11,CT11园片无引线瓷片电容
该电容特为高频头设计，频率特性好。
CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm
CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm
CT82,CC82高压高功率瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M
独石瓷介电容器：
CC4D独石瓷介电容器
环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v
CT4D独石瓷介电容器
环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%
CC2,CT2管形瓷介电容器
与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。
CT2 损耗《0.04绝缘电阻1000mohm 试验电压：480v
使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器
CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V
CCTD损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V
CCTF损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V
CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容
该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。
CC52E-1C 容量：2-3 *** 工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015
CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035
CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm
CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA更大电流：25A 更大重量：1.3KG
好了，瓷介电容的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容，更多关于瓷介电容103的电容值是多少、瓷介电容的信息别忘了在本站进行查找哦。
